FMP35N05 时间：2025/8/25 1:38:59 阅读：19

FMP35N05是一款由Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率、高频率的开关应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。其封装形式通常为TO-220或DPAK，便于散热和集成。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：50V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：35A
　　导通电阻(Rds(on))：约7.5mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：125W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：TO-220 / DPAK

特性

FMP35N05具有多项优异的电气特性，首先是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备高电流承载能力，连续漏极电流可达35A，适用于需要大电流驱动的应用场合。
　　其次，FMP35N05采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提高了器件的开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关电源设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，兼容多种PWM控制器和驱动电路。
　　另外，FMP35N05具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力，TO-220或DPAK封装形式具备良好的散热性能，能够在高功率环境下稳定工作。该器件还内置了防静电保护结构，提升了在实际应用中的可靠性与耐用性。
　　最后，FMP35N05符合RoHS环保标准，适用于各类绿色电子设备和高能效电源系统。