FMP35N05是一款由Fairchild(飞兆半导体,现为安森美半导体的一部分)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率、高频率的开关应用。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。其封装形式通常为TO-220或DPAK,便于散热和集成。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):50V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):35A
导通电阻(Rds(on)):约7.5mΩ(典型值)
功耗(Pd):125W
工作温度范围:-55°C ~ +175°C
封装类型:TO-220 / DPAK
FMP35N05具有多项优异的电气特性,首先是其较低的导通电阻(Rds(on)),这使得在高电流工作条件下能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具备高电流承载能力,连续漏极电流可达35A,适用于需要大电流驱动的应用场合。
其次,FMP35N05采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提高了器件的开关性能,降低了开关损耗,适用于高频开关电源设计。该器件的栅极驱动电压范围较宽,支持常见的10V至15V驱动电压,兼容多种PWM控制器和驱动电路。
另外,FMP35N05具有良好的热稳定性和较高的功率耗散能力,TO-220或DPAK封装形式具备良好的散热性能,能够在高功率环境下稳定工作。该器件还内置了防静电保护结构,提升了在实际应用中的可靠性与耐用性。
最后,FMP35N05符合RoHS环保标准,适用于各类绿色电子设备和高能效电源系统。
FMP35N05广泛应用于多种功率电子系统中,主要包括:DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动电路、电源负载开关、工业自动化设备、服务器电源模块以及汽车电子系统等。由于其高效率和高可靠性,也常用于高功率LED驱动、充电器和适配器设计中。
IRF3205, FDP35N05, FQP35N05, IPW90R120C3, SiR340DP