时间：2025/8/9 18:00:02
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FMP20N50E 是一款由 Fairchild（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电源转换和电机控制应用中。该器件采用 TO-220 封装，具备较高的电压和电流承受能力，适用于中高功率应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极电流 (Id)：20A
漏极-源极击穿电压 (Vds)：500V
栅极-源极电压 (Vgs)：±30V
导通电阻 (Rds(on))：典型值为 0.22Ω
功耗 (Pd)：150W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FMP20N50E 具备优异的导通性能和快速开关特性，能够在高电压和高电流环境下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。此外，该 MOSFET 采用先进的平面技术，具有良好的热稳定性和耐久性，能够在恶劣的工作条件下保持可靠运行。器件的栅极驱动电压范围宽广，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，便于设计和集成。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在突发的高能量冲击下保持稳定。TO-220 封装设计有利于散热，适用于需要高效散热的电路设计。FMP20N50E 在高温环境下依然能保持稳定的电气性能，适合用于工业电源、开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和照明设备等应用。
在设计中，FMP20N50E 可以提供高效的能量转换，同时降低系统功耗，提高整体效率。其优异的开关特性使得它在高频应用中表现出色，能够有效减少开关损耗，提高系统的响应速度。
FMP20N50E 常用于开关电源、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器、电机驱动器、照明设备、工业控制系统以及各种高功率电子设备中。其优异的性能和稳定的可靠性使其成为许多电源设计中的首选功率 MOSFET。
FQP20N50, IRF20N50, STP20N50
