类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压 Vds：60V
　　栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：20A
　　导通电阻 Rds(on)：≤45mΩ（@Vgs=10V）
　　功率耗散 Pd：94W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK

FMP20N06 MOSFET 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻在 Vgs=10V 时仅为 45mΩ，使得该器件在大电流条件下也能保持较低的功率损耗。
　　其次，FMP20N06 具有较高的电流承载能力，额定连续漏极电流可达 20A，适合用于高功率密度设计。此外，该器件具备良好的热稳定性，最大功率耗散为 94W，支持在高温环境下稳定运行。
　　该 MOSFET 还具有快速开关特性，适合用于高频开关应用，如同步整流、DC-DC 转换器和马达驱动电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗。
　　封装方面，FMP20N06 提供 TO-220 和 DPAK 等多种封装形式，便于根据不同的 PCB 布局需求进行选择。TO-220 封装适用于需要良好散热性能的高功率应用，而 DPAK 则更适合表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，确保其在恶劣环境下的可靠运行。此外，FMP20N06 还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过电压条件下提供一定的保护。

FMP20N06 主要用于各类功率电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 升压/降压转换器、电池管理系统、马达控制器、负载开关以及工业自动化设备中的功率开关模块。
　　在电源管理领域，FMP20N06 可作为主开关或同步整流开关，用于提高电源转换效率。其低导通电阻和高电流能力使其成为高功率密度电源设计的理想选择。
　　在电机控制应用中，FMP20N06 可用于 H 桥结构，实现电机的正反转控制，同时具备较高的动态响应能力和热稳定性。
　　此外，该器件还可用于电池供电系统中的负载开关，实现对负载的高效控制和节能运行。

IRFZ44N, FQP20N06L, STP20NF06L, IRLZ44N