FMP12N60ES 时间：2025/8/9 13:22:35 阅读：22

FMP12N60ES是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及功率因数校正（PFC）电路等电力电子系统中。该器件采用了先进的平面硅栅工艺，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，能够有效降低导通损耗和开关损耗。FMP12N60ES的漏源电压（VDS）为600V，连续漏极电流（ID）为12A，适用于中高功率等级的电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：600V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）@25℃：12A
　　峰值漏极电流（IDM）：48A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.48Ω @VGS=10V
　　漏源击穿电压（BVDSS）：600V
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220FP

特性

FMP12N60ES具备多项优异的电气特性，首先是其较低的导通电阻（RDS(on)），使得在导通状态下功率损耗显著降低，提高了整体系统效率。
　　其次，该器件具有快速的开关速度，能够适应高频开关应用，减少开关过程中的能量损耗，同时有助于缩小外围滤波元件的体积，提高电源系统的功率密度。
　　此外，FMP12N60ES采用了先进的封装技术，提供了良好的热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度，提高系统的可靠性和寿命。
　　该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，能够在瞬态过压和过流条件下保持稳定运行，适用于工业环境下的严苛工作条件。
　　最后，其±30V的栅源电压耐受能力增强了对栅极驱动电路的兼容性，使其能够与多种驱动IC配合使用，提升设计灵活性。

应用

FMP12N60ES主要应用于各种中高功率电源系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、功率因数校正（PFC）电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件的高可靠性和优异的电气性能使其成为工业、消费类电子和汽车电子领域中功率MOSFET的理想选择。