FMP11N60E 时间：2025/8/9 16:43:14 阅读：13

FMP11N60E是一款N沟道增强型功率MOSFET，由FORTIOR Technologies制造。该器件设计用于高功率和高频率应用，具有出色的热稳定性和可靠性。FMP11N60E采用了先进的平面工艺技术，能够在600V的漏源电压下工作，最大漏极电流可达11A。该器件通常用于电源转换器、电机驱动、照明系统以及各种开关电源（SMPS）应用中。

参数

类型: N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）: 600V
　　最大栅源电压（Vgs）: ±20V
　　最大漏极电流（Id）: 11A
　　导通电阻（Rds(on)）: 0.42Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）: 29nC
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C
　　封装形式: TO-220
　　功率耗散（Pd）: 60W

特性

FMP11N60E具备多项优异的电气特性，首先是其高耐压能力，漏源电压高达600V，使得该器件适用于各种高压应用场景。此外，FMP11N60E的导通电阻为0.42Ω，这在同类产品中表现优异，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为29nC，这一较低的栅极电荷值有助于减少开关损耗，从而提升整体能效。FMP11N60E在开关过程中表现出快速的响应能力，适用于高频开关电路，如DC-DC转换器和逆变器等。
　　从热性能角度来看，FMP11N60E采用TO-220封装，具有良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持稳定的温度表现。其最大功率耗散为60W，能够在较高环境温度下稳定运行。
　　另外，FMP11N60E具有较宽的栅源电压范围（±20V），使其在驱动电路设计中具有更高的灵活性，并且具备较强的抗干扰能力，能够有效防止误触发。该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适用于工业级和汽车电子等严苛环境下的应用。

应用

FMP11N60E广泛应用于各类电力电子设备中，尤其适合高电压和高效率要求的场景。常见的应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、LED照明驱动电源、电机控制电路、电焊机、UPS不间断电源以及光伏逆变器等。
　　在开关电源中，FMP11N60E作为主开关器件，能够实现高效率的能量转换，同时由于其低导通电阻和快速开关特性，可以有效降低损耗，提高电源的整体效率。
　　在电机驱动和工业自动化控制系统中，该器件可用于H桥电路，实现电机的正反转控制，并能够承受较高的瞬态电流，保障系统的稳定运行。
　　在LED照明系统中，FMP11N60E可用于高功率LED驱动电路，提供稳定的电流输出，确保LED光源的高效、长寿命运行。
　　此外，FMP11N60E还适用于太阳能逆变器和储能系统，作为功率开关元件，用于将直流电转换为交流电，实现能源的有效利用。