时间：2025/8/9 11:24:15
阅读：19
FMP10N80E 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET，属于其“SUPER HJ MOS”系列。该系列的MOSFET采用了高密度沟槽技术，具有较低的导通电阻和出色的开关性能，适用于各种高效率、高功率密度的电源转换应用。FMP10N80E 的漏源电压（VDS）为800V，最大漏极电流（ID）为10A，适合用于需要高耐压和高效能的工业电源、充电器和适配器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：800V
最大漏极电流(ID)：10A
最大栅源电压(VGS)：±30V
导通电阻(RDS(on))：典型值0.75Ω（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
功率耗散(PD)：125W
FMP10N80E 具有以下主要特性：
1. **高耐压能力**：由于漏源电压（VDS）高达800V，使得该器件能够在高输入电压的电源系统中稳定工作，例如AC 600V以上的应用环境。
2. **低导通电阻**：典型的导通电阻为0.75Ω，可以有效减少导通损耗，提高系统的整体效率。
3. **卓越的开关性能**：得益于先进的沟槽技术，FMP10N80E 具有较快的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
4. **高可靠性**：采用TO-220封装形式，具备良好的热稳定性和机械强度，适合工业级应用。
5. **宽工作温度范围**：工作温度范围从-55°C到+150°C，使其能够在各种严苛环境下正常运行。
6. **抗雪崩能力强**：设计上优化了抗雪崩击穿能力，提高了器件在突发高压下的稳定性。
FMP10N80E 广泛应用于多种电力电子系统，包括：
1. **开关电源（SMPS）**：由于其高耐压和低导通电阻特性，非常适合用于AC-DC转换器、适配器以及工业电源等场合。
2. **电机驱动和控制**：在电机驱动电路中，可用于高侧或低侧开关，提供稳定可靠的功率控制。
3. **照明系统**：适用于LED照明、高频镇流器等需要高效能MOSFET的场合。
4. **电池充电器**：作为功率开关用于电池充电电路中，提高充放电效率。
5. **家用电器**：如电磁炉、电饭煲等需要高耐压MOSFET进行功率控制的电器产品。
FQA10N80C、FDPF10N80、2SK2141、STF10N80
