FMP10N60E 时间：2025/8/9 17:26:10 阅读：12

FMP10N60E 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现属于安森美半导体）生产的N沟道功率MOSFET，常用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等应用。该器件具有较高的耐压能力和良好的导通电阻特性，适用于中高功率的电源管理场景。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：10A（连续）
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为0.58Ω（最大值0.75Ω）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FMP10N60E 采用先进的平面工艺制造，具备出色的热稳定性和高可靠性。其高耐压能力（600V）使其适用于各种高电压应用环境。该MOSFET的导通电阻较低，能够在高电流工作条件下保持较小的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
　　此外，FMP10N60E 的栅极驱动设计较为简单，兼容标准逻辑电平，便于与控制器配合使用。器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，适用于大多数电源设计中的安装需求。
　　该MOSFET还具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态电压条件下保持稳定运行，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。

应用

FMP10N60E 广泛应用于各类电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、充电器和负载开关控制等。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通特性，该器件特别适合用于中功率级别的电源转换系统。
　　在工业自动化设备中，FMP10N60E 可作为电源开关或负载控制元件，提供稳定的电流控制能力。在消费类电子产品中，该MOSFET可用于电源管理模块，提高系统的能效并减少发热。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动、太阳能逆变器和家用电器等应用，具备广泛的适用性和良好的性能表现。