时间：2025/8/9 9:23:57
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FMP07N60S1 是一款由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电压和高功率应用而设计，适用于电源转换、DC-AC 逆变器、电机控制、LED 照明驱动器以及各种开关电源系统。FMP07N60S1 具有低导通电阻 Rds(on) 和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，具备较高的可靠性和效率。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：7A
最大漏源电压 (Vds)：600V
最大栅源电压 (Vgs)：±30V
导通电阻 (Rds(on))：最大 1.1Ω @ Vgs=10V
功率耗散 (Pd)：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FMP07N60S1 的核心特性之一是其高耐压能力，最大漏源电压可达 600V，这使其适用于多种高电压功率转换场景。其低导通电阻（Rds(on)）特性在开关过程中降低了导通损耗，提高了整体效率，尤其在高频率开关应用中表现更为出色。
此外，该器件具有良好的热性能，TO-220 封装形式具备良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能维持较低的结温，从而提高系统稳定性。其栅极驱动电压范围较宽，支持 10V 至 20V 的栅极驱动电压，增强了设计灵活性。
该 MOSFET 还具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，适用于电机驱动、逆变器等容易产生电压尖峰的场合。其高可靠性设计也使其适用于工业级和消费级应用，如开关电源（SMPS）、充电器、适配器、LED 照明驱动器等。
FMP07N60S1 常见于各类功率电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）中作为主开关管使用。它也广泛用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、反激式变换器、LED 照明驱动电路、电池充电器、家电电机控制电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
在逆变器系统中，例如太阳能逆变器或UPS不间断电源中，FMP07N60S1 可用于构建半桥或全桥拓扑结构，实现高效的直流到交流转换。此外，在电动工具和小功率变频器中，该器件也常用于功率开关控制，提供快速响应和高效能转换。
由于其高耐压和良好的导通特性，FMP07N60S1 也适用于需要较高电压隔离和稳定性的应用场合，如高压电源模块、工业控制设备和智能电表等。
FQP7N60 / FQA7N60 / IRF7N60 / STP7NK60Z
