FMP07N50E 时间：2025/8/9 16:14:30 阅读：28

FMP07N50E 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压、高效率功率转换应用而设计，具有优异的导通电阻和开关性能。其最大漏源电压（VDS）为500V，连续漏极电流（ID）为7A，适合用于开关电源、DC-DC转换器、照明设备以及各种高电压功率管理应用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：500V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：7A
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　导通电阻(RDS(on))：典型值为0.85Ω @ VGS = 10V
　　栅极电荷(Qg)：约23nC
　　输入电容(Ciss)：约720pF
　　功率耗散(PD)：125W

特性

FMP07N50E 具备多项优良特性，使其在高电压功率应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了先进的平面技术，优化了导通电阻（RDS(on)）和开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。在VGS为10V时，RDS(on)的典型值为0.85Ω，降低了导通状态下的功率损耗。
　　其次，FMP07N50E具备良好的热稳定性和散热能力。其TO-220封装结构有助于快速散热，确保在高电流工作条件下仍能维持稳定性能。此外，该器件的栅极电荷（Qg）为23nC，较低的Qg值意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，适合高频开关应用。
　　该MOSFET还具有较强的抗雪崩能力，能够在突发高电压情况下提供一定的保护功能，提高了系统的可靠性和稳定性。其输入电容（Ciss）为720pF，保证了在高频应用中的稳定工作。
　　最后，FMP07N50E具有较宽的工作温度范围（-55°C ~ +150°C），适用于各种恶劣环境下的应用。其最大功率耗散为125W，确保在高负载条件下仍能正常工作。

应用

FMP07N50E 主要用于需要高电压、中等电流控制的功率电子系统。其常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、照明驱动电路（如LED驱动器）、电机控制、逆变器以及各种工业自动化设备中的功率开关模块。
　　在开关电源中，FMP07N50E 可作为主开关元件，用于高效地将输入电压转换为所需的输出电压。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少能量损耗。
　　在LED照明应用中，该MOSFET可作为恒流驱动或调光控制元件，实现对LED光源的精确控制。
　　此外，FMP07N50E 也适用于太阳能逆变器、电池充电器和不间断电源（UPS）等高电压功率转换设备，提供稳定可靠的开关性能。