时间：2025/8/9 11:06:55
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FMP05N60E是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor）生产。该器件主要用于高电压、高频率的功率转换和开关应用，具有低导通电阻和优良的热性能。FMP05N60E采用TO-220封装，适用于各种电源管理设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：5A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：1.5Ω（最大）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V至4V
最大栅极电压（VGS）：±30V
功率耗散（PD）：83W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
FMP05N60E具备多种优良特性，使其在功率开关和转换器应用中表现出色。其最大漏源电压为600V，支持在高电压环境下稳定运行，适用于AC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电机控制电路。器件的导通电阻最大为1.5Ω，有效降低了导通损耗，提高系统效率。
此外，FMP05N60E的栅极阈值电压范围为2V至4V，允许使用标准逻辑电平驱动，兼容多种控制IC。其最大栅极电压为±30V，提供了较高的栅极保护能力，防止过电压损坏。
该MOSFET的功率耗散为83W，结合TO-220封装良好的散热性能，在高功率负载下仍能保持稳定工作。其工作温度范围为-55°C至150°C，适应广泛的工业环境温度，确保在严苛条件下可靠运行。
FMP05N60E采用TO-220封装，便于安装和散热设计，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。其设计支持快速开关操作，适用于高频开关电源和DC-DC转换器，减少开关损耗并提升整体性能。
FMP05N60E广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC转换器、电机控制电路、照明驱动器以及工业自动化设备中的功率开关。其高电压耐受能力和低导通电阻使其成为高效能电源管理方案的理想选择。
FQP05N60C, IRF730, STP05N60Z
