时间：2025/9/3 22:32:32
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FMOSTHQC300N085-H是一款高功率、高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高电流和高频率应用而设计。该器件采用先进的沟槽式技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及高功率音频放大器等应用场景。FMOSTHQC300N085-H封装形式通常为TO-247或类似的高功率封装，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：300A
最大漏-源电压（Vds）：85V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：≤3.5mΩ
最大功耗（Pd）：400W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-247
技术：沟槽式MOSFET
FMOSTHQC300N085-H具备多项优异特性，首先其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下的低功率损耗，提高整体系统效率。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电流传导路径，从而减少了导通损耗并提高了开关性能。
其次，该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热管理能力，能够在高功率应用中保持较低的温升，从而延长器件寿命并提升系统可靠性。其高耐压能力（85V）使其适用于多种中高功率电源系统。
此外，FMOSTHQC300N085-H具备出色的短路和过载保护能力，能够在极端工作条件下提供更高的安全性和稳定性。其封装设计支持良好的散热性能，适合在紧凑型高功率电子设备中使用。最后，该器件的栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，提升了其在不同应用场景中的适应性。
FMOSTHQC300N085-H广泛应用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。典型应用包括大功率DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电动工具、电动汽车充电系统以及工业电源设备。此外，该MOSFET也可用于高功率音频放大器和不间断电源（UPS）系统中，以提供高效的功率控制和稳定的性能表现。
SiHF300N085T、IPW90R045C6、IXFH300N085T
