FMOSP185N15-H是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由富士电机(Fuji Electric)制造。该器件专为高效率和高可靠性应用而设计,广泛用于工业电源、DC-DC转换器、电池管理系统以及新能源设备等领域。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):150V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):180A
导通电阻(Rds(on)):典型值为3.4mΩ
工作温度范围:-55°C至+175°C
封装形式:TO-247AD
FMOSP185N15-H具有优异的导通特性和开关性能,能够提供低导通损耗和高效的功率转换。其主要特点包括:
1. **低导通电阻**:Rds(on)的典型值仅为3.4mΩ,这使得该MOSFET在高电流下仍能保持较低的功率损耗,提高了整体系统效率。
2. **高耐压能力**:漏源电压额定值为150V,适合中高压功率应用,并且能够在极端工况下稳定运行。
3. **强大的电流处理能力**:最大连续漏极电流可达180A,适用于需要高输出功率的应用场景,如高频逆变器和电动车辆充电系统。
4. **宽栅源电压范围**:支持±20V的栅极驱动电压,允许使用多种栅极驱动电路进行控制,增加了设计灵活性。
5. **热稳定性好**:采用先进的硅芯片技术和优化的封装设计,确保了良好的热管理和长时间工作的可靠性。
6. **高可靠性**:经过严格的质量测试,能够在恶劣环境条件下长期稳定工作,适用于要求苛刻的工业与汽车应用领域。
FMOSP185N15-H因其出色的电气性能和可靠性,被广泛应用于以下领域:
1. **电力电子转换系统**:如DC-DC转换器、AC-DC整流器等,作为核心开关元件实现高效能的能量转换。
2. **工业自动化设备**:用于伺服电机控制、电源模块及工业机器人中的高精度功率管理方案。
3. **新能源系统**:例如太阳能逆变器、储能系统以及电动汽车充电设备中,作为主功率开关来提升能量利用效率。
4. **电池管理系统(BMS)**:在锂电池组管理中,用于充放电控制,确保电池组的安全运行并延长使用寿命。
5. **不间断电源(UPS)**:用于提供稳定的直流供电,保证关键设备在停电情况下的持续运作。
6. **电机驱动与控制**:在各类变频驱动器和马达控制器中,用来调节速度和扭矩以适应不同负载需求。
SiC MOSFET (例如Cree/Wolfspeed C3M0065090J), IGBT模块(如FFG25S120T3_B25), 以及其他类似规格的功率MOSFET (例如IRFP4468PbF)