时间：2025/7/14 16:14:35
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FMOS2SK3018W-H是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和开关应用。该器件采用先进的平面硅技术制造，具备低导通电阻、高可靠性和快速开关特性，适合用于DC-DC转换器、电池管理系统、马达驱动电路等高要求的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：60A（在Tc=25℃时）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
存储温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220AB
FMOS2SK3018W-H具有极低的导通电阻（Rds(on)），通常低于10毫欧，使其在高电流条件下仍能保持较低的传导损耗，提高系统效率。
该器件具备优异的热稳定性，在高负载条件下依然能够维持稳定运行，提高了系统的可靠性。
其快速开关性能可减少开关损耗，适用于高频开关应用，如同步整流器、高效DC-DC转换器等。
MOSFET的栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的能量消耗，并加快了开关速度。
内置的体二极管具有良好的反向恢复特性，适用于需要频繁开关的场合。
符合RoHS环保标准，无铅封装设计，适用于现代电子产品对环境保护的要求。
主要应用于各类高性能电源设备中，包括但不限于：
1. 服务器和通信设备中的DC-DC电源模块；
2. 电动工具、电动车及储能系统的电池管理与功率控制；
3. 工业自动化和控制系统中的高频率开关电源；
4. 高效LED照明驱动电路；
5. 马达驱动器及逆变器系统；
6. 消费类电子产品中的功率调节电路。
SiHF60N60E（Siliconix）、IRF1405（Infineon）、IPB065N06NG（Infineon）、TK60E06K（Toshiba）
