时间：2025/12/28 15:54:19
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FMMV2109TAPBF 是一款由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的平面技术，适用于高频率开关应用。该器件设计用于在高效率电源转换系统中提供优异的性能和可靠性。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A
功率耗散（Pd）：2.5W
导通电阻（Rds(on)）：0.21Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
FMMV2109TAPBF 具备低导通电阻和高电流处理能力，使其在功率转换应用中表现出色。该器件采用了先进的平面工艺技术，提供了优异的热稳定性和长期可靠性。其低栅极电荷特性使其适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高整体系统效率。
此外，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩能力和热阻性能，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。封装形式为 TO-252（DPAK），便于散热和安装，适合表面贴装工艺，提高了生产效率。
该器件还具备出色的短路耐受能力，确保在异常工作条件下仍能保持稳定运行。由于其高性能参数和广泛的工作温度范围，FMMV2109TAPBF 适用于多种工业和消费类电子产品中的电源管理系统。
FMMV2109TAPBF 广泛应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统。此外，它也常用于电源适配器、UPS（不间断电源）、工业自动化设备和通信设备中的功率控制模块。
Si9410BDY-T1-E3, IRFZ44N, FDS6680, FDD8880
