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FMMT625TA 发布时间 时间:2025/7/16 20:08:18 查看 阅读:7

FMMT625TA 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的NPN双极型晶体管(BJT),广泛应用于功率放大和开关电路中。该器件采用SOT-223封装,具有良好的热稳定性和高频性能,适用于中等功率应用。

参数

类型: NPN双极型晶体管(BJT)
  集电极-发射极电压(VCEO): 40V
  集电极-基极电压(VCBO): 60V
  发射极-基极电压(VEBO): 5V
  最大集电极电流(IC): 1A
  功率耗散(PD): 1W
  工作温度范围: -55°C 至 +150°C
  封装类型: SOT-223

特性

FMMT625TA 具备出色的高频响应和低饱和电压特性,适合用于高频放大电路和高速开关应用。
  其SOT-223封装形式有助于提高散热性能,从而增强器件在较高功率条件下的稳定性。
  该晶体管的增益带宽积(fT)可达100MHz以上,确保其在射频和音频放大应用中表现出色。
  此外,FMMT625TA 的封装设计使其易于集成到PCB电路中,并具有良好的机械强度和可靠性。
  该器件还具备良好的线性度,适合用于模拟信号放大和调制电路中。

应用

FMMT625TA 主要用于以下领域:
  1. 高频放大器,如射频(RF)和音频放大电路。
  2. 开关电路,包括数字逻辑电路和电源管理模块。
  3. 驱动继电器、LED和小型电机等负载控制应用。
  4. 工业自动化设备和消费类电子产品中的信号处理和功率控制部分。
  5. 通信设备中的前置放大和信号调节电路。

替代型号

MMBT625, PN2222A, BCX70

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FMMT625TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)150V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 200mA,10V
  • 功率 - 最大625mW
  • 频率 - 转换135MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FMMT625TR