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FMMT549TA 发布时间 时间:2025/5/26 17:17:01 查看 阅读:32

FMMT549TA是一种NPN型硅高频小信号晶体管,专为高速开关和射频应用设计。该器件采用微型SOT-323封装形式,具有体积小、重量轻的特点,适合在空间受限的电路中使用。FMMT549TA适用于无线通信设备、信号调节电路、高频放大器以及其他需要快速响应的电子系统。
  FMMT549TA晶体管的工作原理基于半导体三极管的基本特性,通过基极电流的变化来控制集电极和发射极之间的电流流动。由于其出色的增益特性和频率响应能力,FMMT549TA成为许多高频电路设计中的理想选择。

参数

最大集电极电流:0.1A
  最大集电极-发射极电压:25V
  最大集电极功耗:125mW
  直流电流增益(hFE):60至180
  特征频率(fT):7GHz
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

1. 高频率性能:FMMT549TA支持高达7GHz的特征频率,使其非常适合射频和高速开关应用。
  2. 小型化设计:采用SOT-323封装,体积小巧,能够显著节省PCB板空间。
  3. 稳定性高:即使在极端温度条件下,FMMT549TA也能保持稳定的电气性能。
  4. 快速切换能力:低存储时间和开关时间,确保其在高频场景下的高效表现。
  5. 低成本解决方案:作为一款高性能的小信号晶体管,FMMT549TA提供了性价比极高的选择。

应用

1. 高频信号放大器
  2. 无线通信模块
  3. 射频识别(RFID)系统
  4. 模拟和数字电路中的开关元件
  5. 音频信号处理
  6. 数据传输接口电路
  7. 脉冲调制电路

替代型号

MMBT549T, FMMT549T

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FMMT549TA参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)750mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称549FMMT549TR