晶体管类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：25V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大功率耗散（Ptot）：300mW
　　最大工作频率（fT）：250MHz
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　集电极-基极击穿电压（Vcb）：30V
　　发射极-基极击穿电压（Veb）：5V
　　最大存储温度范围：-65°C至+150°C
　　工作温度范围：-65°C至+150°C

FMMT458的主要特性之一是其卓越的高频性能，使其适用于射频放大和高速开关电路。该晶体管的增益带宽积达到250MHz，能够在高频环境下保持稳定的放大性能。此外，FMMT458的低噪声系数使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择。
　　另一个显著特点是其紧凑的SOT-23封装形式，这种封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和表面贴装技术（SMT）。SOT-23封装还提供了良好的热性能，确保晶体管在高频率工作时不会过热。
　　FMMT458的工作温度范围为-65°C至+150°C，具有良好的温度稳定性，适用于各种严苛环境条件下的应用。此外，其最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为25V，能够在较宽的电压范围内稳定工作。
　　该晶体管的增益（hFE）在不同工作电流下表现出良好的线性度，适用于需要高线性度的放大电路。FMMT458的低饱和压降（Vce_sat）也提高了其在开关应用中的效率。

FMMT458广泛应用于射频（RF）和高速电子系统中。由于其优异的高频性能和低噪声特性，FMMT458常用于无线通信设备中的射频放大器、混频器和振荡器电路。它还适用于低噪声放大器（LNA），用于增强微弱信号的强度，常见于无线接收器和卫星通信设备中。
　　在数字电子系统中，FMMT458可用于高速开关电路，如缓冲器、驱动器和逻辑门电路。其快速的开关速度和低延迟特性使其适用于高速数据传输和处理应用。
　　此外，FMMT458还可用于音频放大器、电压调节器和传感器接口电路。其高增益和低噪声特性使其在音频放大器中能够提供清晰的音质。在传感器应用中，FMMT458可以用于放大微弱的传感器信号，提高系统的灵敏度和精度。
　　由于其紧凑的SOT-23封装形式，FMMT458特别适合用于便携式电子设备和高密度电路板设计。它广泛应用于智能手机、平板电脑、无线耳机和可穿戴设备等消费类电子产品。

2N3904, BFQ19, MMBF458