时间：2025/12/26 10:01:09
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FMMD914TA是一款由ONSEMI（安森美）生产的表面贴装N沟道MOSFET，采用微型双扁平无引脚（DFN）封装，尺寸紧凑，适用于空间受限的高密度印刷电路板设计。该器件专为高频开关应用而优化，广泛用于便携式电子设备中的电源管理、负载开关、电池管理以及DC-DC转换器等场景。FMMD914TA具备低导通电阻和快速开关特性，能够在有限的功耗下实现高效的电能传输。其栅极阈值电压较低，可与低压逻辑信号兼容，便于直接由微控制器或驱动IC进行控制。此外，该MOSFET具有良好的热性能和可靠性，适合在恶劣工作环境下稳定运行。器件符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，表明其具备一定的汽车级应用能力，可用于车载信息娱乐系统、LED照明驱动或车身控制模块等场合。由于其优异的电气性能和小型化封装，FMMD914TA在智能手机、平板电脑、笔记本电脑及物联网设备中得到了广泛应用。
类型：N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大连续漏极电流（ID）：5.7A
最大脉冲漏极电流（IDM）：22A
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：24mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：30mΩ
导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：58mΩ
栅极电荷（Qg）：9nC
输入电容（Ciss）：520pF
反向恢复时间（trr）：16ns
开启延迟时间（td(on)）：7ns
关断延迟时间（td(off)）：19ns
阈值电压（Vth）：1.1V ~ 2.0V
功率耗散（Pd）：1.3W
工作结温范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN2020
FMMD914TA具备出色的导通性能和开关速度，其低导通电阻在不同栅源电压下均表现出色，尤其在4.5V和2.5V等低驱动电压条件下仍能维持较低的RDS(on)，这使得它非常适合用于电池供电设备中，能够有效减少能量损耗并延长续航时间。该器件的栅极电荷仅为9nC，意味着驱动所需的能量非常少，有利于提升整体系统的能效。同时，其输入电容和输出电容较小，进一步降低了开关过程中的动态损耗，特别适用于高频PWM调制的应用场景，如同步整流型DC-DC变换器。器件的反向恢复时间短至16ns，配合肖特基体二极管结构，显著减少了在桥式电路或半桥拓扑中的交叉导通风险，提升了系统效率与可靠性。
在热管理方面，DFN2020封装虽然体积小巧，但通过底部散热焊盘可有效将热量传导至PCB，实现良好的热耗散效果，从而在1.3W的功率耗散能力下保持稳定的结温。该封装还具备优异的机械强度和焊接可靠性，支持自动化回流焊工艺，适合大规模生产。此外，FMMD914TA的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端温度环境下依然可靠运行，满足工业级和部分汽车级应用需求。器件通过AEC-Q101认证，表明其在温度循环、高温反偏、高压应力等方面经过严格测试，具备高耐久性和长寿命。这些特性使其不仅适用于消费类电子产品，也可用于对稳定性要求较高的车载和工业控制系统中。
FMMD914TA广泛应用于需要高效能、小尺寸MOSFET的各类电子系统中。典型应用场景包括移动设备中的电源开关与负载切换，例如智能手机和平板电脑内的摄像头模块、显示屏背光或外设供电控制。在DC-DC降压或升压转换电路中，它常作为同步整流开关使用，替代传统二极管以降低导通压降，提高转换效率。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电通路控制，能够精确地切断异常电流路径，保障电池安全。在嵌入式系统和物联网节点中，FMMD914TA可用于实现低静态电流的电源域隔离，帮助系统进入深度休眠模式以节省能耗。由于其具备AEC-Q101认证，因此也被用于汽车电子领域，如车载传感器电源控制、LED车灯驱动、电动座椅或车窗升降器的电机驱动电路中的低端开关。同时，在工业手持设备、无线耳机充电盒、USB Type-C电源路径管理等高集成度产品中，FMMD914TA凭借其小型化封装和优良电气性能成为理想选择。
FDMN914, SI2301, AOZ5211
