FMM5107VDT 时间：2025/12/28 9:04:02 阅读：19

FMM5107VDT是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用而设计。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、优异的开关性能和良好的热稳定性，适用于多种电源管理场景，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中的功率控制。FMM5107VDT封装在紧凑的双回路DFN2020-6L（2mm x 2mm）封装中，具备优良的散热性能和空间利用率，适合对尺寸敏感的应用场合。其栅极阈值电压适中，能够兼容3.3V或5V逻辑电平驱动信号，便于与现代微控制器或电源控制器直接接口，无需额外的电平转换电路。此外，该MOSFET符合RoHS环保标准，并具备高可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作，适用于消费电子、便携式设备及工业控制系统等广泛领域。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：8.5A
　　脉冲漏极电流（IDM）：34A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=10V：5.3mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：6.8mΩ
　　栅极电荷（Qg）@10V：9.5nC
　　输入电容（Ciss）：520pF
　　开启延迟时间（td(on)）：7ns
　　关断延迟时间（td(off)）：14ns
　　反向恢复时间（trr）：14ns
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：DFN2020-6L

特性

FMM5107VDT采用安森美先进的TrenchFET工艺技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提升了整体系统效率。其低导通电阻特性使得在大电流应用中发热更少，有助于简化热管理设计并提高系统可靠性。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为5.3mΩ，在VGS=4.5V时也仅6.8mΩ，表明其在较低驱动电压下仍能保持优异的导通性能，非常适合用于同步整流和负载开关等需要快速响应和低功耗的应用场景。
　　器件的动态参数同样表现出色，栅极电荷Qg仅为9.5nC，意味着驱动电路所需的能量较少，有利于降低驱动损耗并提升开关频率。输入电容Ciss为520pF，配合快速的开启和关断延迟时间（分别为7ns和14ns），使FMM5107VDT能够在高频开关电源中实现高效运作，减少开关过程中的交越损耗。此外，其反向恢复时间trr为14ns，体二极管恢复速度快，进一步减少了在桥式或同步整流拓扑中的反向恢复损耗，提升了系统效率和EMI表现。
　　DFN2020-6L封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还通过底部散热焊盘有效传导热量，提高了功率密度。该封装无铅且符合RoHS标准，支持自动化贴片生产。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保在严苛环境条件下仍能可靠运行。同时，±20V的栅源电压耐受能力增强了其抗瞬态干扰的能力，避免因栅极过压导致的器件损坏，提升了系统鲁棒性。综合来看，FMM5107VDT是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，适用于追求小型化和高效率的现代电源设计。

应用

FMM5107VDT广泛应用于各类中低电压直流电源系统中，尤其适合高效率、高密度的电源转换设计。常见应用包括同步降压（Buck）转换器中的下管（Low-side）开关，因其低RDS(on)和快速开关特性，可显著降低导通和开关损耗，提高转换效率。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑的电源管理系统中，该器件可用于电池供电路径控制、负载开关或电源轨切换，实现快速响应和低静态功耗。
　　此外，FMM5107VDT也适用于电机驱动电路中的H桥或半桥拓扑结构，作为功率开关元件，提供高效的电机启停和调速控制。在LED驱动电源中，可用于恒流调节或PWM调光控制，确保亮度稳定且响应迅速。工业控制领域的PLC模块、传感器供电单元、DC-DC模块电源中也常采用此类高性能MOSFET以提升系统集成度和能效水平。由于其支持3.3V逻辑电平驱动，因此可直接连接微控制器GPIO口，简化了控制电路设计，广泛用于嵌入式系统中的电源管理单元（PMU）。
　　在热插拔控制器、OR-ing二极管替代、逆变器和逆变电源等应用中，FMM5107VDT凭借其低导通压降和快速响应能力，能够有效减少功率损耗并防止反向电流流动。其小尺寸封装特别适合空间受限的设计，如可穿戴设备、物联网终端和微型电源模块。总体而言，FMM5107VDT是一款通用性强、适应面广的N沟道MOSFET，适用于各种要求高效率、小体积和高可靠性的现代电子系统。