型号：FMM5052ZE
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：20 V
　　最大栅源电压(VGS)：±12 V
　　连续漏极电流(ID) @ 25°C：2.8 A
　　脉冲漏极电流(IDM)：8.4 A
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 4.5V：45 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 2.5V：60 mΩ
　　导通电阻(RDS(on)) @ VGS = 1.8V：90 mΩ
　　栅极阈值电压(VGS(th))：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容(Ciss)：320 pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：160 pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：40 pF @ VDS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：7 ns
　　关断延迟时间(td(off))：15 ns
　　上升时间(tr)：9 ns
　　下降时间(tf)：6 ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-563 (SC-88A)
　　安装方式：表面贴装(SMD)

FMM5052ZE采用安森美先进的TrenchMOS工艺制造，这种结构优化了载流子迁移路径，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体能效。其在低栅极驱动电压下的优异表现，使其非常适合用于由低压微控制器直接驱动的应用场景。例如，在电池管理系统中，当系统处于待机或轻负载状态时，该MOSFET能够以极低的静态电流维持稳定运行，延长电池续航时间。
　　该器件具有出色的热稳定性，在高电流条件下仍能保持较低的温升，这得益于其高效的芯片布局和封装散热设计。同时，FMM5052ZE具备较强的抗雪崩能力和过载耐受性，能够在瞬态电压波动或负载突变的情况下保持正常工作，增强了系统的鲁棒性。其输入电容和输出电容数值适中，有助于减少开关过程中的能量损耗，并降低电磁干扰（EMI）水平，有利于通过EMC认证。
　　此外，FMM5052ZE集成了体二极管，可在某些拓扑结构（如H桥或同步整流）中作为续流路径使用。该体二极管具有较快的反向恢复速度，有助于防止反向电流冲击导致的功率损耗增加。器件还具备良好的ESD防护能力，典型人体模型（HBM）耐压可达2kV以上，提升了在生产装配和现场使用中的可靠性。
　　在制造工艺方面，FMM5052ZE遵循严格的质量控制流程，确保批次间参数一致性高，适合自动化贴片生产线使用。其小型化封装不仅节省PCB空间，还便于实现高密度布板，满足现代电子产品小型化、轻薄化的发展趋势。总体而言，FMM5052ZE是一款综合性能优越、适用范围广泛的MOSFET器件，特别适合对效率、尺寸和可靠性有较高要求的电源管理应用。

FMM5052ZE广泛应用于各类低电压、高效率的电源管理电路中。常见用途包括便携式电子设备中的负载开关，用于控制不同功能模块的供电通断，如显示屏背光、摄像头模组、传感器电源等，通过MOSFET的快速开关能力实现精确的电源管理，有效降低待机功耗。
　　在DC-DC转换器中，该器件可用于同步整流拓扑，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通损耗，提高转换效率，尤其在降压型（Buck）变换器的下管位置表现优异。它也适用于电池充电管理电路，作为充放电路径的控制开关，确保电流单向流动并防止反向放电。
　　在热插拔电路设计中，FMM5052ZE可用于限制浪涌电流，保护后级电路免受冲击。其快速响应特性和低阈值电压使其能够配合简单的RC网络或专用控制IC实现软启动功能。此外，在电机驱动、LED驱动以及各类电源多路复用（Power Multiplexing）系统中也有广泛应用。
　　由于其封装小巧且支持SMT工艺，FMM5052ZE特别适合智能手机、平板电脑、智能手表、TWS耳机、物联网终端等空间受限的消费类电子产品。同时，工业控制、医疗电子和个人移动设备中的低功耗电源模块也是其重要应用领域。

FMM5052ZET4
　　FMM5052ZEX
　　SI2302CDS-T1-E3
　　AO3400A
　　DMG2302UW-7
　　FDG330N