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FMM5046VF 发布时间 时间:2025/9/22 8:46:31 查看 阅读:16

FMM5046VF是一款由FAIRCHILD(ON Semiconductor)推出的N沟道功率MOSFET,专为高效率电源转换和开关应用设计。该器件采用先进的平面场截止(Planar Field-Stop)技术制造,能够在低导通电阻与优异的开关性能之间实现良好平衡。FMM5046VF广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动以及电源管理系统中,尤其适合对空间紧凑性和热性能有较高要求的场景。其封装形式为TSSOP-8(带裸露焊盘),有助于改善散热性能,同时支持表面贴装工艺,适用于自动化生产流程。该MOSFET在栅极驱动电压为10V时表现出较低的RDS(on)值,确保在中等负载条件下具有较高的能效表现。此外,FMM5046VF具备良好的抗雪崩能力和可靠性,能够承受一定的瞬态过压和过流情况,提升了系统稳定性。作为一款高性能、低成本的功率开关器件,FMM5046VF在消费电子、工业控制和通信设备等领域得到了广泛应用。

参数

型号:FMM5046VF
  类型:N-Channel MOSFET
  漏源电压(VDSS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):46A
  脉冲漏极电流(ID_pulse):184A
  导通电阻(RDS(on))_max@10V:4.6mΩ
  导通电阻(RDS(on))_max@4.5V:6.0mΩ
  栅极电荷(Qg)_typ:25nC
  输入电容(Ciss)_typ:2290pF
  开启延迟时间(t_d(on))_typ:10ns
  关断延迟时间(t_d(off))_typ:28ns
  工作温度(Tj):-55℃ ~ +150℃
  封装/包:TSSOP-8EP

特性

FMM5046VF采用了先进的平面场截止工艺技术,这种结构优化了电场分布,有效降低了导通损耗和开关损耗,从而在高频开关应用中表现出色。其低RDS(on)特性使得在大电流传输过程中产生的焦耳热显著减少,提高了整体系统效率并降低了对散热设计的要求。例如,在同步整流拓扑中,低导通电阻直接转化为更低的传导损耗,提升电源转换效率,特别适用于笔记本电脑适配器、服务器电源模块等对能效等级要求严格的场合。
  该器件的栅极电荷(Qg)仅为25nC(典型值),意味着驱动电路所需提供的能量较小,有利于降低驱动IC的功耗,并允许使用更小尺寸的驱动器,进一步节省PCB空间。同时,较低的输入电容(Ciss = 2290pF)减少了高频下的容性损耗,提升了开关速度,使FMM5046VF非常适合用于高频PWM控制电路,如POL(Point-of-Load)转换器和VRM(Voltage Regulator Module)。
  FMM5046VF具备优良的热性能,得益于TSSOP-8EP封装中的底部裸露焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量快速传导至地层或散热层,实现高效散热。这一特点使其即使在高功率密度环境下也能保持稳定运行。此外,器件的工作结温范围达到-55℃至+150℃,展现出良好的环境适应能力,可在严苛工业环境中可靠工作。
  该MOSFET还内置了一定程度的保护机制,包括热关断预警特性和较强的抗雪崩能力,能够在短时过载或感性负载切断时吸收部分能量而不损坏,增强了系统的鲁棒性。综合来看,FMM5046VF以其优异的电气性能、紧凑的封装和高可靠性,成为现代高密度电源设计中的理想选择之一。

应用

FMM5046VF主要应用于需要高效、高电流密度开关功能的电源系统中。典型应用场景包括同步整流型DC-DC降压变换器,特别是在主板供电、CPU/GPU核心电压调节模块(VRM)中,作为下管或上管使用,因其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。此外,它也广泛用于电池供电设备中的电源管理单元,如便携式医疗设备、工业手持终端和电动工具,帮助延长电池续航时间。
  在电机驱动领域,FMM5046VF可用于H桥电路中的功率开关元件,控制直流电机或步进电机的正反转及调速,适用于小型家电、打印机、扫描仪等产品。由于其具备良好的动态响应能力,能够精确控制电流流向,减少换向过程中的能量损耗。
  该器件还可用于负载开关电路,实现对特定功能模块的上电时序控制和过流保护,常见于多路输出电源系统或热插拔电路中。在通信设备中,FMM5046VF也被用于隔离电源域或实现冗余电源切换,提高系统的可用性和安全性。
  此外,得益于其小型化封装和表面贴装特性,FMM5046VF适用于高度集成的PCB设计,满足现代电子产品对小型化和轻薄化的需求。无论是消费类电子还是工业级设备,只要涉及中低压大电流开关控制,FMM5046VF都是一个极具竞争力的选择。

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FDMC5046,FDD5046,FDS5046

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