FMM5017VF 时间：2025/9/22 11:46:09 阅读：11

FMM5017VF是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的表面贴装N沟道MOSFET，采用先进的Trench肖特基技术制造，具有低导通电阻和高效率的特点。该器件专为高频率开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。FMM5017VF的封装形式为SOT-457（也称为TSOP-6），体积小巧，适合对空间要求较高的便携式电子产品。其优化的栅极设计确保了在低栅极驱动电压下仍能实现良好的导通性能，支持逻辑电平驱动，可直接由3.3V或5V微控制器IO口控制，降低了系统设计复杂度。
　　FMM5017VF具备优良的热稳定性与可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气特性，适用于工业级工作温度范围。此外，该器件符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代绿色电子产品的设计需求。由于其高性能与小尺寸封装，FMM5017VF成为许多消费类电子、通信设备及便携式医疗设备中的理想选择。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：20V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：5.8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：23A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值1.2V，最大值1.5V
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=4.5V：22mΩ
　　静态漏源导通电阻（RDS(on)）@VGS=2.5V：29mΩ
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：典型值6.8nC
　　输入电容（Ciss）：典型值560pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装/焊盘：SOT-457（TSOP-6）

特性

FMM5017VF采用了安森美先进的Trench MOSFET工艺，这种结构能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而提升整体能效并减少功率损耗。其低RDS(on)特性使得在大电流应用中发热更少，有助于提高系统的可靠性和寿命。该器件在VGS=4.5V时RDS(on)仅为22mΩ，在VGS=2.5V时也仅为29mΩ，说明它即使在较低的驱动电压下也能保持出色的导通能力，非常适合用于由低压逻辑信号直接驱动的场合，例如微控制器GPIO控制负载开关的应用场景。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg典型值为6.8nC），这意味着在高频开关操作中所需的驱动能量较少，有助于降低驱动电路的设计难度并提升开关速度，从而减小开关损耗。这对于提高DC-DC转换器等开关电源的效率至关重要。同时，其输入电容（Ciss）仅为560pF左右，进一步减少了高频应用中的动态损耗。
　　FMM5017VF还具备良好的抗雪崩能力和稳健的热性能，能够在瞬态过载或短路情况下提供一定的耐受能力。其SOT-457封装虽然体积小，但经过优化的内部引线设计保证了良好的散热性能，允许在紧凑布局中安全运行。此外，该器件内置体二极管，具有较快的反向恢复时间（trr约18ns），可在同步整流等应用中有效减少反向恢复带来的能量损失和EMI问题。
　　总体而言，FMM5017VF凭借其低导通电阻、低驱动电压兼容性、快速开关特性以及高可靠性，成为众多中小型功率开关应用中的优选器件。它的综合性能平衡了效率、尺寸与成本，适用于追求高性能与小型化的现代电子设计需求。

应用

FMM5017VF广泛应用于各类需要高效、小型化功率开关的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的负载开关或电源路径控制。在这些应用中，FMM5017VF可用于控制不同功能模块的供电通断，实现节能待机或热插拔管理。
　　此外，该器件适用于低压DC-DC转换器电路，尤其是在同步降压拓扑中作为下管使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率。它也可用于电机驱动、LED驱动电路以及电池供电设备中的充放电控制回路。
　　在工业控制领域，FMM5017VF可用于传感器电源开关、继电器驱动接口或PLC模块中的信号切换。由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，能够在较为恶劣的电磁环境中稳定工作。
　　通信设备中同样可以见到其身影，例如用于PoE（以太网供电）终端设备的电源隔离与管理，或者在路由器、交换机等网络设备中进行局部电源域控制。总之，凡是在20V以下电压等级、需要高效、小型化N沟道MOSFET的场合，FMM5017VF都是一个极具竞争力的选择。