类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：75A
　　导通电阻(Rds(on))：最大4.5mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220AB
　　功率耗散(Pd)：160W
　　热阻(RθJA)：60°C/W
　　极性：N沟道增强型
　　

FMM 75-01F 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时最大为 4.5mΩ，这使得器件在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有高达 75A 的连续漏极电流能力，能够在高负载条件下稳定运行。
　　该器件的封装形式为 TO-220AB，具备良好的热管理和机械稳定性，适用于各种工业和消费类电子产品。TO-220AB 封装还便于安装散热片，从而进一步提升器件的热性能。
　　FMM 75-01F 还具备优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在高能瞬态条件下的可靠性。其高耐压特性（60V）使其适用于多种电源转换系统，包括同步整流、马达控制及电池供电设备。
　　此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种控制电路的集成，增强了设计的灵活性。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适合在极端环境条件下运行。
　　综合来看，FMM 75-01F 是一款高性能、高可靠性的功率 MOSFET，适用于多种高效率电源管理系统。

FMM 75-01F 广泛应用于多个领域，主要包括：电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路、UPS（不间断电源）、工业自动化设备以及高功率消费电子产品等。该器件的高电流能力和低导通电阻使其成为高效能开关电源设计的理想选择。

IRF7530, FDP7530, AUIRF7530