时间：2025/8/8 20:58:17
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FML12N50ES是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换和功率管理应用，具有低导通电阻和高耐压能力。FML12N50ES的额定电压为500V，连续漏极电流为12A，适用于需要高可靠性和高性能的电源系统。该MOSFET采用TO-220封装，便于散热并适用于多种工业标准电路设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：12A
最大导通电阻（RDS(on)）：0.55Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：62.5W
FML12N50ES具备多项优良特性，适合各种高功率应用。其主要特性包括：
? 高击穿电压（500V）：该MOSFET的高耐压能力使其适用于高压电源转换系统，如开关电源（SMPS）、逆变器和电机驱动器。
? 低导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
? 高电流能力（12A）：能够在高负载条件下稳定工作，适用于需要大电流输出的应用场景。
? 快速开关性能：该MOSFET的开关速度快，减少开关损耗，提高整体系统性能。
? 热稳定性好：TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
? 高可靠性：适用于工业级应用，具备良好的长期稳定性和耐用性。
该器件广泛应用于多种高功率和高电压系统，包括：
? 开关电源（SMPS）：如AC/DC适配器、电源模块等。
? 电机驱动和控制电路：用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机控制。
? 逆变器和UPS系统：用于不间断电源和太阳能逆变器等系统中的功率转换。
? 照明系统：如LED驱动电源、高压气体放电灯（HID）镇流器等。
? 电池管理系统：用于电动车辆、储能系统等的充放电控制电路。
K2143, FQA12N50, 2SK2143
