类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：80A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值为9.8mΩ（在VGS=10V时）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220

FMI80N10T2 MOSFET具有多个显著的性能特点，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的最大RDS(on)为9.8mΩ，适用于高电流应用。
　　其次，该MOSFET采用了先进的封装技术，具有良好的热性能和电流承载能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。TO-220封装也便于散热设计，适合多种电路布局。
　　此外，FMI80N10T2具备较高的栅极驱动兼容性，支持常见的10V驱动电压，适用于各种控制电路。其±20V的栅源电压耐受能力提供了更大的设计灵活性，防止栅极电压异常损坏器件。
　　该器件的高功率耗散能力（200W）使其适用于高功率密度设计，例如服务器电源、电信设备、工业电机控制和电动车充电系统等。
　　同时，FMI80N10T2具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定，提高了器件的可靠性和寿命。

FMI80N10T2 适用于多种高功率、高频电子系统。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关或同步整流器，提升电源转换效率并减小系统尺寸。在DC-DC转换器中，该MOSFET用于高侧或低侧开关，支持高效能的电压调节。
　　该器件也广泛应用于电机驱动和逆变器系统中，例如无刷直流电机控制、电动车驱动系统以及工业自动化设备。其高电流能力和低导通损耗使其成为电机控制应用中的理想选择。
　　此外，FMI80N10T2 还可用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及LED驱动器等应用场景。其优异的热性能和高可靠性使其在高温环境下依然能稳定运行，满足工业和汽车电子对元器件的严格要求。

FDP80N10, IRF1405, STP80NF10, FDD80N10