类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：150V
　　最大漏极电流（ID）：65A（在TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：约4.5mΩ（典型值，最大6.5mΩ）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-263（D2PAK）

FMI65N15T2 MOSFET具有多个关键特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了系统效率。此外，该器件的高电流容量（65A）使其能够处理大功率负载而不会导致过热或性能下降。
　　该MOSFET采用先进的平面制造工艺，优化了器件的开关特性，使其在高频操作下仍能保持稳定。这有助于减少开关损耗，提高整体能效。同时，器件具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下长时间运行而不影响性能。
　　另一个显著优势是其高耐用性和可靠性。FMI65N15T2 具有出色的雪崩能量承受能力，能够承受瞬态过压和过流条件，从而提高了系统的鲁棒性。其封装形式为TO-263（D2PAK），是一种表面贴装封装，具备良好的散热能力，便于自动化生产并提高装配效率。
　　此外，FMI65N15T2 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持多种驱动电路设计，便于工程师灵活配置。该器件还具备良好的短路耐受能力，有助于防止在异常操作条件下损坏。

FMI65N15T2 MOSFET广泛应用于各种高功率电子系统中。在开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，该器件用于实现高效的电压转换，特别是在高电流输出需求的应用中表现优异。
　　在电机控制领域，FMI65N15T2 常用于H桥电路或电机驱动模块中，以提供高效、快速的开关控制。在电池管理系统（BMS）中，该MOSFET可用于电池充放电控制，确保系统的安全性和效率。
　　此外，该器件也适用于逆变器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的热稳定性和耐久性，FMI65N15T2 在恶劣环境下的工业应用中也表现出色。

IRF1405, FDP6675, STP65N04LD, FDD6675