类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（Id）：49A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：200V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.022Ω @ Vgs=10V
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220
　　引脚数：3

FMI49N20T2 的主要特性之一是其极低的导通电阻，使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。
　　该器件采用了先进的沟槽式技术，提升了电流密度并降低了开关损耗，适合高频应用。
　　此外，FMI49N20T2 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，适用于要求高可靠性的工业和汽车电子系统。
　　它的栅极驱动电压范围较宽（通常在10V至20V之间），便于与各种驱动电路配合使用，同时具备较强的抗雪崩能力，增强了器件的耐用性。
　　该MOSFET还具备快速开关速度，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。
　　另外，FMI49N20T2 的封装设计有利于散热，便于安装在散热片上，适用于高功率密度设计。

FMI49N20T2 主要用于需要高效能功率开关的场合，如电源供应器、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、逆变器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。
　　在服务器和通信电源系统中，该器件常用于同步整流和高侧/低侧开关，以提升能效。
　　由于其高电流承载能力和低导通电阻，FMI49N20T2 也非常适合用于高功率LED驱动、工业自动化控制以及太阳能逆变器等应用。
　　此外，在电动车和充电桩等新能源应用中，该MOSFET也因其高可靠性和良好的热管理性能而被广泛采用。

IRF1404, FDP49N20, FQA47N20, STP48NF20