FMI07N50E 时间：2025/8/9 9:28:52 阅读：25

FMI07N50E 是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于高效率、高频工作的电路设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大1.2Ω
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

FMI07N50E 的设计使其在高电压和中等电流条件下表现出色，具备出色的开关性能和热稳定性。其主要特性包括：
　　1. 高电压耐受能力：漏源电压可达500V，适合用于高电压电源转换系统。
　　2. 低导通电阻：最大导通电阻为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高能效。
　　3. 高开关速度：具备快速的开关特性，适用于高频开关电源（SMPS）应用。
　　4. 热阻优化：采用优化的封装设计，有效降低热阻，提高器件在高温环境下的可靠性。
　　5. 栅极保护：栅极氧化层具有较强的耐压能力，可承受±30V的栅源电压，提升了器件的稳定性与使用寿命。
　　6. 广泛的工作温度范围：可在-55°C至+150°C之间正常工作，适用于恶劣环境条件下的应用。

应用

FMI07N50E 广泛应用于各类电力电子系统中，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器、PC电源等，用于提高转换效率和减小体积。
　　2. 直流-直流转换器：在DC/DC转换电路中作为功率开关，实现高效的能量转换。
　　3. 电机驱动电路：用于控制小型电机或作为H桥结构中的开关元件。
　　4. 照明系统：如LED驱动器或荧光灯电子镇流器中的高频开关控制。
　　5. 家用电器：如微波炉、电磁炉、洗衣机等家电产品中的电源管理模块。
　　6. 工业自动化设备：用于工业控制系统的电源管理和功率控制模块。