类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：800V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　脉冲漏极电流（IDM）：24A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为1.8Ω（最大2.3Ω）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

FMI06N80E 具有多个关键特性，使其在各种功率应用中表现出色。首先，其高耐压能力（800V VDS）使得该器件能够在高压环境中稳定运行，适用于诸如AC/DC电源转换器等应用。其次，FMI06N80E 的导通电阻较低，典型值为1.8Ω，最大不超过2.3Ω，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　此外，该MOSFET具有良好的热性能，50W的功耗能力使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，也便于安装在标准散热片上，适用于各种工业和消费类应用。
　　其栅极驱动电压范围为±30V，兼容常见的驱动电路设计，使得FMI06N80E可以方便地与PWM控制器或微控制器配合使用。此外，该器件具有较高的短时过载能力（脉冲电流可达24A），适用于需要瞬时高功率输出的应用场景，如电机启动或电源冲击负载控制。

FMI06N80E 被广泛应用于各类电力电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、逆变器、照明控制系统（如LED驱动器）、电机控制电路以及工业自动化设备。其高耐压和低导通电阻特性使其特别适合用于需要高效能、高可靠性的电源系统。例如，在AC/DC电源适配器中，FMI06N80E可用于初级侧开关元件，实现高效的能量转换。在DC-DC转换器中，它可作为同步整流器或主开关器件，提高整体效率。此外，在工业控制和家电领域，该MOSFET也可用于驱动继电器、电磁阀或直流电机等负载。

FQA6N80C, IRF840, FDPF8N80