类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大漏极电流（Id）：47A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 0.16Ω
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220

FMH47N60S1FD 具备多项优异特性，适用于高功率和高效率的开关应用。首先，其最大漏源电压可达 600V，能够承受高压环境下的工作条件，适用于工业级电源转换系统。其次，该 MOSFET 的导通电阻较低，通常不超过 0.16Ω，这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。
　　此外，该器件的最大漏极电流为 47A，支持高电流负载，适用于大功率电机驱动、开关电源和逆变器等应用。其 ±30V 的栅极电压耐受能力提高了器件在高频开关应用中的稳定性，防止因过压造成的损坏。
　　在封装方面，TO-220 封装具备良好的散热性能，能够有效将热量传导至散热片，从而提升器件在高温环境下的可靠性。该 MOSFET 还具备较高的抗雪崩能力，确保在突发电压冲击下仍能稳定运行。
　　值得一提的是，FMH47N60S1FD 的制造工艺采用了先进的平面技术，优化了器件的导通和开关特性，使其在高频应用中具有较低的开关损耗。这种特性特别适合用于 DC-DC 转换器、UPS 系统以及各种电力电子设备中。

该 MOSFET 广泛应用于各类高功率电子系统中。其主要应用场景包括开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS（不间断电源）系统、DC-DC 转换器、工业自动化设备以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备高耐压、高电流能力和低导通电阻，因此特别适用于需要高效率和高可靠性的电力电子设备。此外，该器件也常用于光伏逆变器和电动车充电系统中，作为核心功率开关元件。

FCH47N60F,FDPF47N60,FQA47N60