时间：2025/8/9 13:55:05
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FMH28N50ES是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于高功率应用，如电源转换器、DC-DC变换器、马达控制器和负载开关等。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热稳定性，适合在高效率和高密度的电源系统中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：28A
最大漏源电压（VDS）：500V
导通电阻（RDS(on)）：0.185Ω @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（PD）：62.5W
FMH28N50ES采用了先进的平面沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的高耐压能力（500V）使其适用于高电压电源系统，例如离线式开关电源（SMPS）。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高负载条件下也能保持稳定运行，减少了额外散热设计的复杂度。TO-220封装形式不仅便于安装，还具有良好的散热性能。该MOSFET还具有快速开关特性，减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其高雪崩能量承受能力确保了在瞬态负载条件下器件的可靠性。
FMH28N50ES常用于各类高功率电源设备，如开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC变换器、电池充电器和马达控制电路。此外，它还适用于工业自动化系统、UPS不间断电源、LED照明驱动器以及各种负载开关和电源管理系统。
FQP28N50 / K28N50 / IRFPE50
