时间：2025/8/9 15:53:02
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FMH23N60ES 是一款由富满电子（Fuman Electronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等领域。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性，适用于中高功率的开关应用场景。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：23A
漏源击穿电压（VDS）：600V
栅源击穿电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值0.18Ω（最大0.22Ω）
耗散功率（PD）：125W
工作温度范围：-55℃～+150℃
封装形式：TO-220
FMH23N60ES 具有优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（RDS(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备良好的热稳定性和高雪崩能量承受能力，确保在高应力条件下仍能稳定工作。此外，其高栅极电压容限（±30V）增强了抗干扰能力，适用于复杂的电磁环境。
在封装方面，TO-220封装具备良好的散热性能和机械强度，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。该器件还内置了防静电保护结构，提升了在运输和装配过程中的可靠性。FMH23N60ES 通过了多项工业标准认证，符合RoHS环保要求，适用于绿色电子产品的设计。
该MOSFET广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED驱动电源、逆变器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、DC-DC转换器以及智能家电和工业控制设备。其高耐压特性也使其适用于需要隔离和高压处理的场合，例如光伏逆变系统和UPS不间断电源系统。
FMH23N60E、FMH20N60E、FMH25N60E、FQA24N60E、FGA25N60
