类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：23A
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.27Ω（最大值0.33Ω）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功率耗散（PD）：125W
　　栅极电荷（Qg）：55nC
　　输入电容（Ciss）：1200pF

FMH23N57E采用先进的沟槽栅结构，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了能效。其高耐压能力（500V）使其适用于高电压输入的电源系统，如开关电源（SMPS）和光伏逆变器。该MOSFET的TO-247封装形式具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定运行。
　　此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下正常工作，确保了长期运行的可靠性。FMH23N57E还具有较低的开关损耗，适合高频开关应用，有助于提高系统的整体效率并减少外围散热元件的需求。
　　在安全性和耐用性方面，FMH23N57E通过了多项国际认证，符合RoHS环保标准，并具备较强的抗短路能力和过载保护功能，适用于各种工业级应用场景。

该MOSFET广泛应用于多种高功率电子设备中，包括但不限于：工业电源、不间断电源（UPS）、DC-AC逆变器、光伏逆变系统、电动工具、电机驱动控制器、LED照明驱动电源以及智能电表等。由于其优异的电气特性和高可靠性，FMH23N57E特别适合用于对效率和稳定性有较高要求的开关电源设计中。

FMH23N57E的替代型号包括IXFH23N50P、STF23N50M、IRF23N50等。这些型号在电气参数和封装形式上具有相似性，但在具体应用中应根据电路设计需求和系统环境进行评估。