时间：2025/8/9 15:57:45
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FMH23N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及各种高功率电子设备中。该器件采用高压工艺制造，具备较高的导通性能和较低的开关损耗，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：500V
最大漏极电流(ID)：23A（常温下）
导通电阻(RDS(on))：典型值0.22Ω（最大0.27Ω）
栅极阈值电压(VGS(th))：2V至4V
最大栅极电压(VGS)：±30V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220、TO-3P等
FMH23N50具有优异的导通特性和快速开关响应能力，能够在高频环境下稳定工作。其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，适应性强，适用于多种驱动电路设计。此外，FMH23N50内置了良好的热稳定性设计，能够承受较高的工作温度，提升了器件的可靠性和使用寿命。在短路或过载情况下，该MOSFET还具备一定的抗冲击能力，增强了系统的稳定性。
该器件采用高压工艺制造，具备良好的击穿电压特性，漏源耐压高达500V，适用于高电压应用场景。其封装形式通常为TO-220或TO-3P，便于散热和安装，适用于多种电路布局。FMH23N50在设计中注重了寄生电容的优化，降低了高频开关时的损耗，提升了整体效率。此外，该MOSFET的封装形式和引脚排列符合行业标准，便于与其他器件兼容和替换。
FMH23N50主要应用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制、电池管理系统、UPS不间断电源、变频器、逆变器等高功率电子系统中。在这些应用中，该MOSFET能够高效地进行电能转换，提升系统的整体能效。由于其高耐压和大电流能力，该器件也适用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源、光伏逆变器等对可靠性和稳定性要求较高的领域。此外，FMH23N50还可用于各种功率开关电路、负载开关、电子开关和高边开关控制等场景。
IRF23N50、FQA23N50、STF23N50、FGA23N50
