FMH16N60ES 时间：2025/8/9 13:02:07 阅读：11

FMH16N60ES是一款N沟道增强型高压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由富士电机（Fuji Electric）生产。该器件设计用于高电压、高效率的功率转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达控制和工业自动化设备中。FMH16N60ES具有较低的导通电阻和优异的开关性能，能够在高电压下保持稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：600V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：16A（在25°C下）
　　最大功耗（Pd）：80W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.27Ω（在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

FMH16N60ES具有多项高性能特性，适用于高压功率转换系统。其导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高整体效率。此外，该MOSFET具有优异的开关性能，能够支持高频操作，从而减小外部滤波器元件的尺寸，提高系统的功率密度。
　　该器件采用TO-220F封装，具有良好的散热能力，适用于高功率应用场景。封装设计还提供了良好的电气隔离和机械强度，确保在高温和高电压环境下稳定运行。
　　FMH16N60ES的工作温度范围较宽（-55°C至+150°C），可在恶劣环境下保持稳定性能，适用于工业控制、电源供应器、照明系统等对可靠性要求较高的应用。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（±30V），使其兼容多种驱动电路设计，提高了电路设计的灵活性。

应用

FMH16N60ES广泛应用于多种高压功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、交流适配器、LED照明驱动器、马达控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。其高电压耐受能力和优异的导通与开关性能，使其成为高效率电源转换系统的理想选择。在太阳能逆变器、UPS不间断电源、电焊机等需要高压、高电流能力的系统中，FMH16N60ES也常被用于功率开关模块的设计。此外，由于其良好的热稳定性和封装散热性能，该器件也可用于需要长时间高负载运行的工业控制系统。