时间：2025/8/9 14:24:14
阅读：31
FMH16N50ES是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电压、高电流应用而设计。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种开关电源设备中。FMH16N50ES采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压（500V）和良好的热稳定性，能够提供较高的能效和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
连续漏极电流（ID）：16A
功耗（PD）：200W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220、TO-262、TO-263等
导通电阻（RDS(on)）：≤0.28Ω（典型值）
阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
输入电容（Ciss）：1300pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：快速恢复
FMH16N50ES具有多项优异的电气性能和结构设计特点，首先其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，适用于高功率密度设计。该器件的高耐压能力（500V）使其能够在高压环境下稳定工作，适用于开关电源、AC-DC转换器和电机驱动系统等。
此外，FMH16N50ES具备良好的热稳定性和高功耗能力（200W），可以在高温条件下保持稳定的性能。其封装形式多样，包括TO-220、TO-262和TO-263等，便于在不同应用场景中进行安装和散热管理。
该MOSFET还具备快速开关特性，具有较低的输入电容（Ciss）和反向恢复时间（trr），可减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统的响应速度。栅极驱动电压范围宽（±30V），增强了其在不同电路设计中的适应性。
值得一提的是，FMH16N50ES在制造过程中采用了先进的平面工艺和封装技术，确保了其在恶劣环境下的可靠性和长寿命。这些特性使得该器件成为许多高电压、高频率开关应用的理想选择。
FMH16N50ES广泛应用于各种电力电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、工业自动化控制系统以及消费类电子设备中的功率管理模块。
在开关电源中，该MOSFET可作为主开关元件，实现高效率的能量转换；在DC-DC转换器中，它可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供稳定的输出电压；在电机控制和逆变器应用中，FMH16N50ES的快速开关特性可以有效提高系统的动态响应能力。
此外，由于其良好的热稳定性和高可靠性，该器件也适用于对散热要求较高的工业设备和汽车电子系统中，例如车载充电器、电池管理系统（BMS）和车载逆变器等。
总的来说，FMH16N50ES凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及多种封装形式，成为各类高功率、高效率电源系统中的关键元件。
FQA16N50、K2645、K2843、IRFGB40N50、STF16N50M
