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FMH16N50ES 发布时间 时间:2025/8/9 14:24:14 查看 阅读:26

FMH16N50ES是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电压、高电流应用而设计。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、DC-DC转换器以及各种开关电源设备中。FMH16N50ES采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻(RDS(on))、高耐压(500V)和良好的热稳定性,能够提供较高的能效和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±30V
  连续漏极电流(ID):16A
  功耗(PD):200W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220、TO-262、TO-263等
  导通电阻(RDS(on)):≤0.28Ω(典型值)
  阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V
  输入电容(Ciss):1300pF(典型值)
  反向恢复时间(trr):快速恢复

特性

FMH16N50ES具有多项优异的电气性能和结构设计特点,首先其低导通电阻(RDS(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率,适用于高功率密度设计。该器件的高耐压能力(500V)使其能够在高压环境下稳定工作,适用于开关电源、AC-DC转换器和电机驱动系统等。
  此外,FMH16N50ES具备良好的热稳定性和高功耗能力(200W),可以在高温条件下保持稳定的性能。其封装形式多样,包括TO-220、TO-262和TO-263等,便于在不同应用场景中进行安装和散热管理。
  该MOSFET还具备快速开关特性,具有较低的输入电容(Ciss)和反向恢复时间(trr),可减少开关过程中的能量损耗,提高整体系统的响应速度。栅极驱动电压范围宽(±30V),增强了其在不同电路设计中的适应性。
  值得一提的是,FMH16N50ES在制造过程中采用了先进的平面工艺和封装技术,确保了其在恶劣环境下的可靠性和长寿命。这些特性使得该器件成为许多高电压、高频率开关应用的理想选择。

应用

FMH16N50ES广泛应用于各种电力电子设备中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、LED照明驱动电源、工业自动化控制系统以及消费类电子设备中的功率管理模块。
  在开关电源中,该MOSFET可作为主开关元件,实现高效率的能量转换;在DC-DC转换器中,它可用于升压(Boost)或降压(Buck)电路,提供稳定的输出电压;在电机控制和逆变器应用中,FMH16N50ES的快速开关特性可以有效提高系统的动态响应能力。
  此外,由于其良好的热稳定性和高可靠性,该器件也适用于对散热要求较高的工业设备和汽车电子系统中,例如车载充电器、电池管理系统(BMS)和车载逆变器等。
  总的来说,FMH16N50ES凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及多种封装形式,成为各类高功率、高效率电源系统中的关键元件。

替代型号

FQA16N50、K2645、K2843、IRFGB40N50、STF16N50M

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