时间：2025/8/9 17:24:59
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FMH16N50E是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面MOSFET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于电源转换、电机控制和工业自动化等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：0.27Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（典型值）
最大功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
FMH16N50E的导通电阻较低，这有助于减少导通损耗并提高整体效率。其先进的制造工艺确保了良好的热性能，能够在高电流和高温条件下稳定运行。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关电路，从而提高了系统的响应速度和效率。FMH16N50E还具有优异的雪崩能量耐受能力，能够在过载和短路情况下提供更高的可靠性和耐用性。该MOSFET的栅极驱动要求较低，通常只需要一个简单的驱动电路即可实现高效控制。这些特性使得FMH16N50E在电源转换器、电机驱动器和工业控制系统中表现出色。
此外，FMH16N50E的封装设计有助于散热，确保了在高功率环境下的稳定性。其TO-220封装不仅提供了良好的机械强度，还便于安装和散热管理。该器件的可靠性高，符合工业级标准，适用于各种严苛的工作环境。
FMH16N50E广泛应用于电源管理系统，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和逆变器。它还常用于电机控制电路、UPS系统以及工业自动化设备中的功率开关。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET也适用于高功率LED驱动器和电池充电器。
IRF840, FQA16N50C
