FMH08N80E 时间：2025/8/9 12:15:15 阅读：12

FMH08N80E是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，适用于各种高功率和高频率的应用场景，例如电源转换器、开关电源（SMPS）、电机控制以及逆变器系统。该器件采用先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，能够提供高效稳定的功率控制能力。FMH08N80E的漏源电压（VDS）最大可达800V，连续漏极电流（ID）为8A，在高压应用中表现出色。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：800V
　　最大栅源电压(VGS)：±30V
　　连续漏极电流(ID)：8A
　　导通电阻(Rds(on))：典型值为1.2Ω（在VGS=10V条件下）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220或类似功率封装

特性

FMH08N80E具有多个显著的技术特性，首先其高压能力使其能够在800V的漏源电压下稳定工作，适用于高电压输入的应用场景。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值为1.2Ω，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，FMH08N80E的栅极驱动电压范围较宽，支持±30V的最大栅源电压，增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
　　在热性能方面，FMH08N80E采用了优化的封装设计，具有良好的散热能力，能够在高温环境下保持稳定运行。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适合在各种工业和车载环境中使用。此外，该MOSFET具备快速开关特性，能够支持高频开关操作，适用于高频率的功率转换系统，如DC-DC转换器、PFC电路和LED驱动电源等。

应用

FMH08N80E广泛应用于高压功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、交流适配器、LED照明驱动电源、电机控制电路以及逆变器系统。在开关电源中，该器件可作为主开关器件，用于提高转换效率并降低系统功耗。在电机控制和逆变器系统中，FMH08N80E可用于实现高效的功率调节和能量转换。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、电源管理模块以及车载电子系统等需要高压功率控制的场合。