FMH07N70E 时间：2025/8/9 6:47:50 阅读：22

FMH07N70E 是一款由富士电机（Fuji Electric）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用高电压和高电流设计，适用于电源转换、DC-AC逆变器、马达控制等高功率应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700V
　　漏极电流（ID）：7A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.2Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V～4V
　　封装类型：TO-220F
　　工作温度范围：-55°C～150°C

特性

FMH07N70E MOSFET具备多项优良特性，适用于高效率电源系统设计。其低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗，提高整体能效。此外，该器件的漏源电压额定值高达700V，适用于高电压工作环境，如AC-DC转换器和逆变器应用。采用TO-220F封装，具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的可靠性。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围适中（通常为10V～15V），兼容常见的MOSFET驱动电路，便于设计和集成。其栅极阈值电压在2V～4V之间，确保在不同工作条件下都能稳定导通。此外，FMH07N70E具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的鲁棒性。
　　该器件还具备良好的短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和消费类电源系统。其封装形式TO-220F支持快速散热，有助于延长器件使用寿命，降低热失效风险。

应用

FMH07N70E广泛应用于各类功率电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动器、逆变器和马达控制电路。由于其高耐压和中等电流能力，该MOSFET特别适用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统，如工业自动化设备、通信电源、家电控制电路以及新能源系统中的功率调节模块。
　　此外，该MOSFET还可用于电池管理系统（BMS）、UPS（不间断电源）和太阳能逆变器等应用，提供稳定的功率开关性能。其高耐压特性和良好的热稳定性使其在高温和高负载条件下依然能够保持稳定工作。