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FMG5AT148 发布时间 时间:2025/6/23 19:33:52 查看 阅读:4

FMG5AT148 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特性,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  它属于 N 沟道增强型 MOSFET,适用于高频开关应用场合,可显著降低系统能耗并提高功率密度。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:30A
  导通电阻:2.8mΩ
  栅极电荷:67nC
  总电容(输入电容):1220pF
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:TO-247

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,从而提高整体效率。
  2. 高速开关能力,适合高频操作场景,降低开关损耗。
  3. 出色的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持一致的性能。
  4. 内置反向恢复二极管,进一步优化了开关性能,减少了开关噪声。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际规范要求。
  6. 强大的抗浪涌能力,提升了器件在恶劣环境下的可靠性。

应用

1. 开关模式电源 (SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机驱动和控制
  4. 电池管理系统 (BMS)
  5. 工业自动化设备中的功率转换
  6. 太阳能逆变器及其他新能源相关应用

替代型号

FDP55N06L
  IRFZ44N
  STP30NF06

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FMG5AT148参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商设备封装SMT5
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FMG5AT148-NDFMG5AT148TR