类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：5A
　　功耗（PD）：50W
　　导通电阻（RDS(on)）：≤1.2Ω
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FMD05N60G功率MOSFET具备多项优异性能，首先其高耐压特性使其能够在600V的漏源电压下稳定工作，适用于高压电源转换系统。其次，其低导通电阻（RDS(on)）≤1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高电源转换效率，减少发热，提升系统整体稳定性。该器件的栅源电压范围为±30V，具备较强的抗过压能力，从而提高器件在复杂电磁环境下的可靠性。此外，FMD05N60G采用了TO-252（DPAK）封装，这种封装形式具有良好的热传导性能，能够有效散热，适用于高密度电路设计。
　　该MOSFET的连续漏极电流为5A，在同类产品中具有较高的电流承载能力，适合用于中等功率的开关电源、适配器、LED驱动电源等应用场景。其最大功耗为50W，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。工作温度范围从-55°C到+150°C，表明其具有优异的环境适应能力，可在极端温度条件下正常工作，适用于工业级和消费类电子产品。
　　此外，FMD05N60G具备快速开关特性，减少了开关过程中的能量损耗，提高了响应速度，适用于高频开关电源设计。同时，该器件符合RoHS环保标准，采用无铅封装，满足现代电子产品对环保性能的要求。

FMD05N60G广泛应用于各类电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、LED照明驱动电源、电机控制器、电池充电器、UPS不间断电源、光伏逆变器以及工业自动化控制系统等。其高耐压、低导通电阻和良好的散热性能，使其特别适合用于需要高效能、高稳定性的中高压功率转换场合。在LED驱动电路中，该MOSFET可用于恒流控制和开关调节，提高光效并延长灯具寿命。在电机控制领域，它可用于实现精确的PWM调速控制，提升电机运行效率。在电源适配器和充电器中，FMD05N60G可作为主开关器件，提高转换效率并减小设备体积。

FQP5N60C, FQA5N60C, 2SK2545, 2SK1318, 2SK1178