类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：450V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大漏极电流（Id）：3A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.9Ω @ Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：10nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

FMD03N45G 功率MOSFET具有多项优异的电气特性。首先，其450V的漏源击穿电压确保了在高电压开关应用中的稳定性和安全性，适用于诸如AC/DC转换器、逆变器等设备。其次，该器件的导通电阻Rds(on)为1.9Ω，在Vgs=10V时可实现较低的导通损耗，提高整体系统效率。此外，FMD03N45G具备快速开关特性，栅极电荷（Qg）仅为10nC，使其在高频开关应用中表现出色，降低了开关损耗并提高了响应速度。
　　该MOSFET采用先进的平面工艺技术，增强了器件的热稳定性，同时TO-220封装提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下的可靠性。FMD03N45G还具备出色的抗雪崩击穿能力，能够在瞬态电压或过载情况下保持稳定运行。此外，±30V的栅源电压容限使其在各种驱动电路中具有更高的兼容性与灵活性。综合来看，FMD03N45G是一款适用于高电压、中等功率应用的高性能MOSFET，广泛用于电源管理、马达控制及工业自动化等领域。

FMD03N45G 广泛应用于多个电力电子领域，特别是在需要高电压开关能力和中等功率处理能力的场合。例如，它可用于设计AC/DC和DC/DC转换器，为各种电子设备提供高效能的电源解决方案。此外，FMD03N45G也适用于逆变器系统，如太阳能逆变器和不间断电源（UPS），在这些应用中其高击穿电压和低导通电阻可提升整体能效和稳定性。在工业自动化领域，该器件常用于马达控制电路，实现对马达的精确调速和节能运行。另外，FMD03N45G还可用于LED照明驱动器、电池充电器以及各种功率开关电路，为现代电子系统提供可靠的核心元件。

FQA3N45C, FCP3N45S, FDPF3N450V