时间：2025/8/9 13:48:35
阅读：28
FMC20N50E 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高功率和高频率的应用，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的耐压能力，适合用于电源转换、电机控制和功率放大等场合。FMC20N50E 采用 TO-220 封装形式，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：20A（在 25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
最大功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
FMC20N50E 具备多项优良的电气特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。该器件的高耐压能力（500V）和大电流承载能力（20A）使其适用于多种高功率应用场景。此外，FMC20N50E 的栅极阈值电压范围适中（2V 至 4V），便于与常见的控制电路（如微控制器或 PWM 控制器）配合使用，实现快速开关操作。
在热管理方面，TO-220 封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。该 MOSFET 的最大功耗为 125W，能够在较高的环境温度下正常工作。其宽广的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）也增强了其在极端环境下的适用性。
FMC20N50E 还具备出色的短路和过载保护能力，进一步提高了系统的可靠性和稳定性。该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器、逆变器和电源管理模块。
FMC20N50E 广泛应用于各种功率电子设备中。其高耐压和大电流特性使其非常适合用于电源开关、电机驱动器和功率放大器等场合。该器件常用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器、逆变器以及 UPS（不间断电源）系统中，作为主开关器件使用。
此外，FMC20N50E 也适用于工业自动化设备、家电控制电路和电动汽车的电力管理系统。在新能源领域，如太阳能逆变器和风力发电控制系统中，该 MOSFET 可作为功率开关元件，提供高效稳定的能量转换。
由于其良好的热稳定性和可靠性，FMC20N50E 也常用于需要长时间连续运行的工业设备，如变频器、伺服驱动器和自动化控制系统中。
FQA20N50, IRFBC40, STP20N50U, 2SK2647
