类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）@25℃：7A
　　漏极电流（Id）@100℃：4.7A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大1.2Ω（@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：125W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220

FMC07N90E具备多项高性能特性，首先其高耐压能力（900V Vds）使其适用于高压应用环境，如工业电源和电机驱动系统。该MOSFET的低导通电阻（Rds(on)）降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。
　　此外，FMC07N90E采用了先进的平面工艺，提升了器件的可靠性和稳定性，尤其在高温环境下仍能保持良好性能。其TO-220封装设计有助于良好的散热性能，确保在高功率负载下仍能稳定运行。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性，能够在极端工作条件下提供额外的安全保障。栅极驱动电压范围宽（±30V），支持灵活的驱动电路设计，并具有较快的开关速度，适用于高频开关应用。
　　在实际应用中，FMC07N90E能够有效减少能量损耗，提高系统效率，并延长设备的使用寿命。由于其优异的电气性能和机械结构设计，该MOSFET广泛应用于开关电源、逆变器、UPS系统、电动工具以及工业控制设备中。

FMC07N90E广泛应用于需要高耐压、高效率和高稳定性的电子系统中。常见的应用场景包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、UPS不间断电源、LED驱动电源、电机控制器以及工业自动化设备。
　　在开关电源中，FMC07N90E可用于高频开关电路，实现高效的能量转换；在电机控制中，它可用于H桥驱动电路，实现对电机转速和方向的精确控制；在UPS系统中，该MOSFET可作为主开关器件，确保在断电时快速切换至备用电源。
　　此外，该器件也常用于LED照明驱动电路，提供稳定的电流控制和高效的能量转换；在工业自动化系统中，FMC07N90E可用于继电器替代、负载开关和功率调节电路，确保系统在高电压和大电流条件下的稳定运行。

FQA7N90C, IRF840, STF9NM80, FCH07N90A