时间：2025/8/9 9:55:39
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FMB49N20T2是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件采用先进的平面技术，提供低导通电阻和高效率的功率处理能力。FMB49N20T2的额定电压为200V，连续漏极电流可达49A，适用于各种电源管理、电机控制、DC-DC转换器等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：49A
导通电阻(Rds(on))：典型值28mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
功率耗散(Pd)：160W
漏极电容(Coss)：典型值2000pF
开启电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
FMB49N20T2具有多项优异特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在高频开关应用中，该器件的快速开关特性减少了开关损耗，从而提升了工作频率下的性能。此外，FMB49N20T2采用了先进的封装技术，确保了良好的热管理和高可靠性，适用于高负载条件下的长时间运行。
该MOSFET还具有较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护功能，增强了系统的鲁棒性。其栅极设计支持宽范围的驱动电压，适用于常见的10V至15V驱动电路，兼容多种控制芯片和驱动器方案。
由于其高电流承载能力和良好的热稳定性，FMB49N20T2在电源转换器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中具有广泛的应用前景。其封装形式（TO-263）支持表面贴装工艺，便于自动化生产并节省PCB空间。
FMB49N20T2主要应用于中高功率的电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制器、逆变器、不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。在电动车和新能源领域，该器件也常用于电池充放电管理电路和功率调节模块中。其高效率和高可靠性的特点使其成为各类电源管理和功率控制系统的优选器件。
FQA49N20C, FDP49N20, SPW47N20C3, IRFP4668
