FMB26L 时间：2025/7/22 6:39:11 阅读：9

FMB26L 是一款由 Diodes 公司（原安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。这款 MOSFET 的设计优化了导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，使其适用于各种电源转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制等。FMB26L 采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，同时保持较低的热阻。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.25mΩ（最大值）
　　封装类型：PowerPAK SO-8
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　热阻（RθJA）：35°C/W
　　功率耗散（Pd）：4W

特性

FMB26L 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著减少功率损耗，从而提高整体系统的效率。该器件的沟槽技术不仅优化了导通电阻，还降低了开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色。此外，FMB26L 的封装设计具有良好的热性能，能够有效地将热量从芯片传导到 PCB，从而延长器件的使用寿命。
　　FMB26L 的另一个重要特性是其高电流处理能力。在连续漏极电流下，该器件可以承受高达 100A 的电流，使其适用于需要高功率密度的应用。此外，其栅极驱动电压范围为 ±20V，使其兼容多种控制电路，便于设计和集成。
　　该器件的可靠性也是其显著优势之一。FMB26L 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。此外，其热阻为 35°C/W，表明其具有良好的热管理能力，能够有效防止因过热而导致的性能下降或损坏。

应用

FMB26L 主要应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。在 DC-DC 转换器中，FMB26L 的低导通电阻和高电流处理能力使其成为理想的选择，能够显著减少能量损耗并提高转换效率。此外，在负载开关应用中，该器件的高可靠性和良好的热管理能力确保了系统的稳定运行，尤其是在高负载条件下。
　　该器件还广泛用于马达控制电路中，特别是在需要频繁启停或调速的场合。FMB26L 的高电流处理能力和快速开关特性使其能够有效应对马达启动时的高电流冲击，并保持稳定的运行状态。
　　除此之外，FMB26L 还适用于电池管理系统、逆变器、电源分配系统和工业自动化设备等应用场景。由于其出色的性能和可靠性，FMB26L 在汽车电子、通信设备和消费电子产品中也得到了广泛应用。