类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：600V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　漏极电流(Id)：16A（Tc）
　　导通电阻(Rds(on))：0.22Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：100W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220
　　晶体管配置：单路

FMB16N60ES 具备多项优异的电气和热性能特性。其导通电阻仅为0.22Ω，在10V栅极驱动电压下可实现较低的导通损耗，适用于高频开关应用。该MOSFET的漏源电压额定值为600V，使其适用于中高压电源系统。器件采用先进的平面DMOS工艺，具有良好的热稳定性和可靠性。
　　此外，FMB16N60ES 的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够在较高功率下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的栅极驱动，便于与多种驱动电路兼容。该器件还具备较强的抗雪崩能力和短路耐受能力，提升了系统在异常工况下的稳定性。
　　在动态特性方面，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于减少开关损耗并提升系统的响应速度。同时，其快速的开关性能使其适用于高频率工作的电源拓扑，如反激式、正激式变换器等。

FMB16N60ES 广泛应用于各种电力电子设备中，尤其适合中高功率的开关电源设计。例如，在AC-DC转换器中，它可作为主开关管使用，适用于适配器、充电器、LED驱动电源等产品。在DC-DC变换器中，FMB16N60ES 可用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构中，提供高效的能量转换。
　　该器件也适用于电机驱动和控制电路，如电动工具、电动车控制器等，其高耐压和大电流能力能够满足电机启动时的瞬态需求。此外，在太阳能逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化控制系统中，FMB16N60ES 也能发挥出色的性能。由于其良好的热稳定性和封装散热能力，该MOSFET在需要长时间高负载运行的应用中表现尤为突出。

FQA16N60C、FDPF16N60、IRFBC40、FMB16N60E、FMB16N60FD