时间：2025/8/8 17:24:31
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FMB13N60E是一款由Fairchild（飞兆半导体）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等场景。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于中高功率应用领域。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：13A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（最大）
栅极电压（VGS）：±20V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220
FMB13N60E具备优异的导通性能，其低导通电阻（RDS(on)）可以有效降低功率损耗，提高系统效率。
此外，该器件具有较高的耐压能力，最大漏源电压可达600V，适用于高压环境下的稳定运行。
该MOSFET还具有良好的热稳定性，能够在高温环境下保持可靠工作，适用于工业级应用需求。
其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能，方便安装在散热片上，适用于中高功率应用。
此外，FMB13N60E的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V，提高了其在不同驱动电路中的兼容性。
该器件还具备较高的抗雪崩击穿能力，提升了在高能脉冲环境下的可靠性。
FMB13N60E广泛应用于多种电力电子系统中，例如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电池充电器和负载开关等。
它也常用于电机驱动和功率因数校正（PFC）电路中，提供高效的功率控制能力。
此外，该MOSFET还适用于工业自动化设备、变频器、UPS不间断电源等需要高可靠性和高效率的场合。
由于其高耐压和低导通电阻特性，FMB13N60E也适用于LED照明驱动电路和光伏逆变器等新能源领域应用。
在消费类电子产品中，如电视电源、音响设备和智能家电中也有广泛使用。
FQA13N60C、IRFBC40、K2645、FMB15N60E
