FMAF202 时间：2025/8/13 14:16:46 阅读：27

FMAF202是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用先进的平面技术制造，具备优异的导通特性和较低的开关损耗。FMAF202通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备中。其主要特点包括低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性，使其在高功率密度应用中表现出色。该MOSFET采用TO-220封装，便于散热并适用于多种工业标准电路板布局。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：200V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：9A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：40W
　　工作温度范围：-55℃ 至 150℃
　　封装类型：TO-220

特性

FMAF202具有出色的导通性能和较低的导通损耗，能够在高频率下稳定工作，适用于各种高效率电源转换器。其导通电阻仅为0.24Ω，在VGS为10V时可确保较低的导通压降，从而减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具备较强的耐压能力，漏极-源极之间的最大耐压可达200V，使其适用于中高功率应用。FMAF202还具备良好的热稳定性和抗过载能力，在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　FMAF202采用了先进的平面制造工艺，提高了器件的可靠性与一致性，同时其TO-220封装结构具备良好的散热性能，有助于延长器件使用寿命并提高系统稳定性。该MOSFET还具有较快的开关速度，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用场景。此外，其栅极驱动特性稳定，能够在不同温度和负载条件下保持一致的性能表现。

应用

FMAF202广泛应用于各类电源管理系统，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高耐压能力和低导通电阻使其特别适合用于需要高效率能量转换的场合，例如服务器电源、通信设备电源、电动工具和便携式电子设备的电源管理单元。此外，该器件也可用于电机驱动、照明控制以及智能电表等需要高可靠性和稳定性的应用场景。