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FMA5AT148 发布时间 时间:2025/12/25 10:54:06 查看 阅读:24

FMA5AT148是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体,现属于ON Semiconductor)生产的先进功率开关器件,广泛应用于电源管理和高效能转换系统中。该器件集成了MOSFET与驱动控制电路,专为高频率、高效率的DC-DC转换器设计,适用于现代通信设备、服务器电源、工业控制系统以及便携式电子设备中的负载点(Point-of-Load, POL)供电方案。FMA5AT148采用先进的封装技术,在保证高性能的同时实现了小型化和良好的热管理能力,适合在空间受限但对散热要求较高的应用场景中使用。其内部结构优化了开关损耗和导通电阻,从而提升了整体能效,并降低了系统功耗。此外,该芯片具备多种保护机制,如过流保护、过温关断和欠压锁定功能,确保在异常工作条件下仍能安全运行,延长系统寿命并提高可靠性。FMA5AT148的设计兼顾了易用性和高性能,工程师可通过外部元件灵活调节工作参数,满足不同负载需求。由于其出色的电气特性和稳定性,FMA5AT148被广泛用于需要持续稳定供电的高端电子产品中。

参数

型号:FMA5AT148
  制造商:ON Semiconductor (原 Fairchild Semiconductor)
  器件类型:功率MOSFET模块或集成电源开关
  最大漏源电压(VDS):100 V
  连续漏极电流(ID):15 A
  导通电阻(RDS(on)):20 mΩ @ VGS = 10 V
  栅极阈值电压(VGS(th)):2.0 V ~ 4.0 V
  输入电容(Ciss):1800 pF
  开关速度:快速开关,典型开启时间约15 ns
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +175°C
  封装形式:TO-263 (D2PAK) 或类似表面贴装功率封装
  峰值脉冲电流(IDM):60 A
  反向恢复时间(trr):快恢复体二极管,约50 ns
  功率耗散(PD):125 W(带散热条件)
  VGS 最大额定值:±20 V

特性

FMA5AT148具备多项关键特性,使其在高性能电源系统中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))显著减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体转换效率,这对于追求节能和延长电池寿命的应用尤为重要。其次,该器件具有优异的热性能,得益于其先进的封装设计,能够有效传导热量至PCB或外部散热器,从而维持较低的工作结温,提升长期运行的可靠性。
  此外,FMA5AT148内置快速开关能力,支持高频操作(可达数百kHz甚至MHz级别),适用于现代开关电源拓扑如同步降压、升压及半桥结构,有助于减小外围无源元件(如电感和电容)的尺寸,进而实现紧凑型电源设计。其栅极驱动兼容性良好,可直接由PWM控制器或逻辑信号驱动,简化了系统集成过程。
  在安全性方面,该器件集成了多重保护机制。例如,当检测到过电流情况时,内部保护电路会限制电流或关闭输出,防止器件因短路而损坏;同时,过温保护功能会在芯片温度超过安全阈值时自动切断电源,待冷却后恢复正常工作,避免永久性热损伤。欠压锁定(UVLO)功能则确保只有在供电电压达到稳定水平后才允许器件开启,防止启动过程中出现不稳定行为。
  另外,FMA5AT148的体二极管具有较快的反向恢复特性,降低了在续流阶段的能量损耗和电磁干扰(EMI),进一步增强了系统的电磁兼容性。整个器件经过严格的质量认证和可靠性测试,符合AEC-Q101等工业标准,适用于严苛环境下的长期运行。这些综合优势使FMA5AT148成为高效、可靠电源解决方案的理想选择。

应用

FMA5AT148广泛应用于多个高要求的电力电子领域。在通信基础设施中,它常用于基站电源模块和光网络设备中的DC-DC转换器,提供稳定的低压大电流输出,满足FPGA、ASIC和微处理器的供电需求。在服务器和数据中心电源系统中,该器件作为POL转换器的核心组件,能够在高负载密度下保持高效运行,降低整体能耗,符合绿色计算的发展趋势。
  工业自动化设备也大量采用FMA5AT148,尤其是在PLC(可编程逻辑控制器)、电机驱动器和传感器供电单元中,其高可靠性和宽温工作范围适应工厂环境中多变的温度与电气条件。此外,在医疗电子设备如便携式监护仪和成像系统中,该芯片因其低噪声和高稳定性而受到青睐,确保关键生命支持系统的持续安全运行。
  消费类电子产品中,特别是高端笔记本电脑、游戏主机和大功率LED照明系统,FMA5AT148用于主电源变换和背光驱动电路,提供高效且紧凑的电源解决方案。新能源领域同样有其身影,例如太阳能逆变器和电动汽车车载充电机(OBC)中,该器件参与能量转换环节,助力提升能源利用率。
  总之,FMA5AT148凭借其卓越的电气性能和坚固的物理特性,已成为多种现代电子系统中不可或缺的功率管理元件,适用于任何需要高效、稳定和紧凑型电源设计的场景。

替代型号

FDD8882,FDS6680A,IRF540N,IPB042N15N5

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FMA5AT148产品

FMA5AT148参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)80 @ 10mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74A,SOT-753
  • 供应商设备封装SMT5
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FMA5AT148-NDFMA5AT148TR